इलेक्ट्रॉन गतिशीलता मर्यादित करणारी यंत्रणा संशोधकांनी काढली शोधून

भारतीय संशोधकांनी स्कँडियम नायट्राइडमध्ये इलेक्ट्रॉन गतिशीलता मर्यादित करणारे अडथळे ओळखले आहेत.

नवी दिल्ली :भारतीय संशोधकांच्या एका चमूनं शुक्रवारी अर्धसंवाहकांमध्ये इलेक्ट्रॉन गतिशीलता मर्यादित करणाऱ्या यंत्रणेची नवीन माहिती उघड केलीय. नॅनो लेटर्स या जर्नलमध्ये याबाबत संशोधन प्रकाशित झालंय. अधिक कार्यक्षम इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे विकसित करण्यासाठी अर्धसंवाहकांचे इलेक्ट्रॉनिक गुणधर्म समजून घेण्यास या संशोधनामुळं शक्य झालंय.

जवाहरलाल नेहरू सेंटर फॉर ॲडव्हान्स्ड सायंटिफिक रिसर्च (JNCASR), बंगलोर, विज्ञान आणि तंत्रज्ञान विभाग (DST) अंतर्गत स्वायत्त संस्था, मधील शास्त्रज्ञांनी रॉकसाल्ट सेमीकंडक्टर स्कँडियम नायट्राइड (ScN) मध्ये इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता मर्यादित करणाऱ्या घटकांचा शोध लावलाय. "आमच्या संशोधनाद्वारे ScN-आधारित घटकांच्या डिझाइन आणि फॅब्रिकेशनमध्ये महत्त्वपूर्ण प्रगती होऊ शकते," असं असोसिएट प्रोफेसर बिवास साहा म्हणाले. उच्च थर्मल स्थिरता, मजबूतपणा आणि इलेक्ट्रॉनिक गुणधर्मांमुळं पुढील जनरेशनसाठी इलेक्ट्रॉनिक्स ScN एक आशादायी म्हणून उदयास आलं आहे. तथापि, त्याची क्षमता असूनही, इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमध्ये एससीएनचा व्यावहारिक वापर त्याच्या तुलनेनं कमी इलेक्ट्रॉन गतिशीलतेमुळं होतोय.

साहा यांच्या नेतृत्वाखाली संशोधकांनी इलेक्ट्रॉनच्या प्रवाहात अडथळा आणणाऱ्या आणि त्यांची गतिशीलता कमी करणाऱ्या यंत्रणा ओळखण्यावर आणि त्यांचं विश्लेषण करण्यावर लक्ष केंद्रित केलंय. सैद्धांतिक विश्लेषण आणि प्रायोगिक प्रमाणीकरणाच्या संयोजनाद्वारे संशोधकांनी सिद्ध केलं, असं विज्ञान आणि तंत्रज्ञान मंत्रालयानं म्हटलं आहे. इलेक्ट्रॉन, ऑप्टिकल फोनॉन मोडमधील परस्परसंवादचं वर्णन अनेकदा फ्रोहलिच परस्परसंवाद म्हणून केलं जातं.

“ओळखलेल्या स्कॅटरिंग मेकॅनिझमला सुधारित इलेक्ट्रॉन गतिशीलतेसह एससीएन करणे शक्य आहे, ज्यामुळं ते उच्च-कार्यक्षमता अनुप्रयोगांच्या विस्तृत श्रेणीसाठी अधिक योग्य बनतील. यामध्ये थर्मोइलेक्ट्रिकिटी, न्यूरोमॉर्फिक कंप्युटिंग, हाय मोबिलिटी इलेक्ट्रॉन ट्रान्झिस्टर आणि स्कॉटकी डायोड उपकरणांचा समावेश असू शकतो,”, असं संशोधनाचे लेखक सौरव रुद्र यांनी म्हटलं आहे.

हे वाचलंत का :